小林憲汰さん（理工学研究科材料機能工学専攻修士課程2年、半導体工学研究室（指導教員：竹内哲也教授））

ICNS-14　Best Student Award

2023年11月17日

In-situ layer thickness control of AlInN/GaN DBRs with in-situ reflectivity spectra measurements

2023年11月12日から17日に開催された第14回窒化物半導体国際会議（14^th International Conference of Nitride Semiconductors:ICNS-14）においてBest student awardを受賞しました。本AwardはICNS-14で発表した300件を超えるの学生発表の中から優秀な発表を行った学生に対して与えられたものになります。

本発表ではその場反射率スペクトル測定を用いたGaN系面発光レーザーの高精度膜厚制御について報告しました。具体的には、共振器長（共振波長）の制御、および共振器下部に位置するAlInN/GaN DBRの中心波長制御を確立しました。とくに、共振器長制御を実施したサンプルでは、特性の大幅な向上（電力変換効率：12.2%、光出力：11mW）を達成しました。本研究で確立したその場膜厚制御技術により、ウエハ作製時における再現性の向上、延いては高性能化に向けた着実な最適化の遂行が期待されます。